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氣相法生長晶體制作單晶材料

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氣相法生長晶體制作單晶材料

發布日期:2019-05-10 00:00 來源:http://www.itsinmyway.com 點擊:

所謂氣相法生長晶體,就是將擬生長的晶體材料通過升華、蒸發、分解等過程轉化為氣相,然后通過適當條件下使它成為飽和蒸氣,經冷凝結晶而生長成晶體。


氣相法晶體生長的特點是:


1. 生長的晶體純度高;

2. 生長的晶體完整性好;

3. 晶體生長速度慢;

4. 有一系列難以控制的因素,如溫度梯度、過飽和比、攜帶氣體的流速等。


目前,氣相法主要用于晶須生長和外延薄膜的生長(同質外延和異質外延),而生長大尺寸的塊狀晶體有其不利之處。


氣相法主要可以分為兩種:

物理氣相沉積(Physical VaporDeposition, PVD):用物理凝聚的方法將多晶原料經過氣相轉化為單晶體,如升華-凝結法、分子束外延法和陰極濺射法;

化學氣相沉積(ChemicalVapor Deposition,CVD):通過化學過程將多晶原料經過氣相轉化為單晶體,如化學傳輸法、氣體分解法、氣體合成法和MOCVD法等。

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